ماده عایق توپولوژیك كارآیی حافظه دیجیتال را بهبود می دهد

ماده عایق توپولوژیك كارآیی حافظه دیجیتال را بهبود می دهد

انجمن پارسیان: تهران- گروهی از پژوهشگران دانشگاه «مینه سوتا» آمریكا ماده جدیدی از مواد عایق توپولوژیك ساختند كه با برخورداری از خواص اسپینترونیكی، باعث بهبود كارآیی حافظه و پردازش كامپیوتر ها می گردد.


به گزارش گروه اخبار علمی ایرنا، اسپینترونیك شاخه جدیدی از نانوالكترونیك است كه بر استفاده از اسپین الكترون برای ساخت قطعات الكترونیكی جدید با كارایی بالاتر نسبت به الكترونیك سنتی تاكید دارد.
نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیك را تشكیل می دهد.
عایق های توپولوژیك هم مواد الكترونیكی است كه هم رسانا و هم عایق به حساب می آید.
به نوشته پایگاه خبری «ساینس دیلی» آمریكا، عایق های توپولوژیك با استفاده از فرآیند رشد دادن كریستال واحد ساخته می گردد. شیوه دیگر تولید این نوع عایق ها، استفاده از فرآیند برآرایی باریكه مولكولی است كه در آن كریستال ها در یك فیلم نازك رشد داده می شوند.
هیچكدام از روش های بالا قابلیت تولید انبوه برای صنایع نیمه رسانا را ندارد.
پژوهشگران دانشگاه مینه سوتا برای حل این مشكل كار خویش را با سلنید بیسموت آغاز كردند و سپس یك تكنیك رشد كریستال روی فیلم با عنوان كندوپاش را به كار گرفتند كه به واسطه انتقال نیروها بین یون ها و اتم ها در مواد هدف در اثر برخورد، عمل می كند.
فرآیند كندوپاش در صنایع نیمه رسانا كاربرد دارد اما این نخستین بار است كه برای ساخت یك عایق توپولوژیك در مقیاس صنعتی از این شیوه استفاده می گردد.
بدین ترتیب محققان توانستند ذراتی با ابعاد كمتر از 6 نانومتر را درون لایه عایق توپولوژیك تولید كنند كه خواص فیزیكی جدیدی را برای این ماده به ارمغان آورده و رفتار الكترون های آن را تغییر می دهد.
ماده جدید در واقع گونه ای از عایق های توپولوژیك است كه به علت خصوصیت های مغناطیسی و انتقالی اسپینترونیكی مورد توجه محققان و فعالات صنایع نیمه رسانا قرار دارد.
پس از آزمایش این ماده مشخص شد كارآیی آن در تولید حافظه و پردازش كامپیوتری 18 برابر بیش از سایر مواد مشابه است.
به اعتقاد محققان، تولید انبوه این ماده زمینه های جدیدی را برای پیشرفت صنایع نیمه رسانا و سایر صنایع وابسته همچون تولید حافظه های ام.رم بوجود می آورد.
حافظه های ام. رم غیرفرار با دوام بی انتها و سرعت بالای خواندن و نوشتن و دارای قابلیت دسترسی تصادفی به حافظه است.
گزارش كامل این تحقیقات در نشریه «نیچر متریالز»* انتشار یافته است.
..............................
* Nature Materials

علمی (6)*9259*1961*


1397/06/03
15:08:58
5.0 / 5
20
این مطلب را می پسندید؟
(1)
(0)

تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب
لطفا شما هم نظر دهید
= ۲ بعلاوه ۵
انجمن پارسیان Parsian Forum